周二，半導(dǎo)體（881121）板塊普跌，arm holdings（ARM）(ARM.US)跌逾6%，美國(guó)超微公司(AMD.US)跌逾4%，英特爾（INTC）(INTC.US)跌4%，臺(tái)積電（TSM）(TSM.US)、阿斯麥（ASML）(ASML.US)跌逾3%，英偉達(dá)（NVDA）(NVDA.US)跌近3%，高通（QCOM）(QCOM.US)跌逾2%。
根據(jù)FactSet數(shù)據(jù)，iShares半導(dǎo)體ETF（159325）當(dāng)前遠(yuǎn)期市盈率接近26倍，明顯高于10年平均約19倍水平，并較標(biāo)普500（SPX）指數(shù)溢價(jià)17%。而歷史上，該ETF通常相較大盤(pán)存在小幅折價(jià)。分析人士稱(chēng)，當(dāng)前市場(chǎng)幾乎在“為完美定價(jià)”。Interactive Brokers首席策略師Steve Sosnick警告，當(dāng)前主要風(fēng)險(xiǎn)在于市場(chǎng)預(yù)期過(guò)高，企業(yè)業(yè)績(jī)可能難以持續(xù)超預(yù)期。
