東方證券（600958）發(fā)布研報稱，2026年4月22日，安克創(chuàng)新（300866）(300866.SZ)展示首款神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)存算一體AI音頻芯片Thus。存內(nèi)計(jì)算從底層架構(gòu)層面解決內(nèi)存墻瓶頸，優(yōu)化計(jì)算功耗。目前存內(nèi)計(jì)算多條技術(shù)路線并行且邁向成熟，國內(nèi)玩家在端側(cè)AI及低功耗等方向正推進(jìn)商業(yè)化落地。
東方證券（600958）主要觀點(diǎn)如下：
事件
2026年4月22日，安克創(chuàng)新（300866）展示了其首款神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)存算一體AI音頻芯片Thus。
存內(nèi)計(jì)算從底層架構(gòu)層面解決內(nèi)存墻瓶頸，優(yōu)化計(jì)算功耗
部分投資者并未了解存內(nèi)計(jì)算創(chuàng)新架構(gòu)在AI計(jì)算中的應(yīng)用潛力。傳統(tǒng)的存算分離架構(gòu)由馮.諾依曼在1945年提出，其核心特征是將計(jì)算單元與存儲單元分離，數(shù)據(jù)在處理器與內(nèi)存之間頻繁搬運(yùn)。但大模型技術(shù)的迅猛發(fā)展下對存儲容量和帶寬的需求呈指數(shù)級上升，顯著放大了存算分離架構(gòu)的弊端。基于此，學(xué)術(shù)界及產(chǎn)業(yè)界目前正在持續(xù)推動存算一體架構(gòu)的應(yīng)用。目前，存算一體技術(shù)包括近存計(jì)算(計(jì)算單元通過先進(jìn)封裝（886009）技術(shù)與存儲器緊密集成)、存內(nèi)處理(在存儲芯片（886042）的外圍電路中增加計(jì)算功能)、存內(nèi)計(jì)算等不同路徑。其中，存內(nèi)計(jì)算是融合度最高的方案，其直接利用存儲介質(zhì)的物理特性在存儲陣列內(nèi)部執(zhí)行計(jì)算操作，實(shí)現(xiàn)高度并行和超低功耗的計(jì)算。與傳統(tǒng)方案相比，存內(nèi)計(jì)算在功耗、計(jì)算效率等方面具有明顯優(yōu)勢，在相同制程工藝下，存內(nèi)計(jì)算芯片有望在單位面積下提供更高的算力，更低的功耗。以知存科技發(fā)布的WTM2101芯片為例，其專注端側(cè)低功耗語音交互場景，功耗僅5mW，相對于NPU、DSP、MCU計(jì)算平臺在同等功耗水平下可將算力提高10至200倍。
存內(nèi)計(jì)算多條技術(shù)路線并行，技術(shù)邁向成熟
存儲介質(zhì)上，存內(nèi)計(jì)算主流技術(shù)路線包括SRAM、DRAM、Flash和新型憶阻器(ReRAM、MRAM、PCM等)方向。其中，SRAM存算一體方案基于CMOS工藝，可采用先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)，讀寫速度快；DRAM方案存儲密度高于SRAM，適合處理大容量模型場景；Flash方案具有非易失性和低功耗優(yōu)勢。目前，以SRAM、NORFlash及DRAM作為存內(nèi)計(jì)算介質(zhì)的方案均已有產(chǎn)品落地。RRAM(阻變存儲器)、MRAM(磁性存儲器)、PCM(相變存儲器)等新型存儲介質(zhì)具備良好的工藝可擴(kuò)展性和超低功耗特性，被認(rèn)為具備極大的應(yīng)用潛力。ISSCC2026上，清華大學(xué)、華為與字節(jié)跳動聯(lián)合團(tuán)隊(duì)發(fā)布關(guān)于存內(nèi)計(jì)算芯片的論文，論文中首次提出基于28nm工藝的混合存內(nèi)計(jì)算芯片，這款芯片以RRAM為存儲介質(zhì)，通過創(chuàng)新架構(gòu)設(shè)計(jì)大幅推薦系統(tǒng)核心運(yùn)算的效率和能效。
存內(nèi)計(jì)算產(chǎn)業(yè)化落地逐步推進(jìn)
在端側(cè)AI及低功耗等方向，國內(nèi)玩家正在推進(jìn)商業(yè)化落地。炬芯科技（688049）率先在業(yè)內(nèi)實(shí)現(xiàn)存內(nèi)計(jì)算技術(shù)商業(yè)化應(yīng)用，正式推出面向端側(cè)場景的AI音頻芯片，2025年基于自研模數(shù)混合SRAM存內(nèi)計(jì)算架構(gòu)的端側(cè)AI音頻芯片產(chǎn)品ATS323X、ATS362X出貨量持續(xù)攀升，ATS323X芯片已快速落地品牌客戶旗艦無線麥克風(fēng)并實(shí)現(xiàn)上市發(fā)售，切入多家專業(yè)音頻頭部品牌供應(yīng)鏈。知存科技發(fā)布的全球首款基于NORFlash的存算一體語音芯片WTM2101芯片已實(shí)現(xiàn)超過1000萬顆的出貨量，應(yīng)用于華為、小米（K81810）等品牌的智能可穿戴設(shè)備中。安克創(chuàng)新（300866）推出的Thus芯片基于NORFlash技術(shù)打造，原生支持4兆參數(shù)模型，搭載在安克即將發(fā)布的旗艦耳機(jī)上。微納核芯憑借3D-CIM技術(shù)架構(gòu)已與國內(nèi)頭部存儲器廠商和多家終端龍頭企業(yè)深入合作，作為RISC-V存算一體應(yīng)用組組長單位在杭州蕭山牽頭啟動全球首個RISC-V存算一體標(biāo)準(zhǔn)研制工作；公司于2026年3月獲得兆易創(chuàng)新（HK3986）入股。
投資建議與投資標(biāo)的
存內(nèi)計(jì)算從底層解決內(nèi)存墻瓶頸，產(chǎn)業(yè)逐步推進(jìn)。相關(guān)標(biāo)的：兆易創(chuàng)新（HK3986）、炬芯科技（688049）、恒爍股份（688416）、安克創(chuàng)新（300866）等。
風(fēng)險提示
AI落地不及預(yù)期，技術(shù)迭代速度不及預(yù)期，國產(chǎn)化進(jìn)展不及預(yù)期。
