國(guó)投證券發(fā)布研報(bào)稱(chēng)，AI機(jī)柜功率密度持續(xù)飆升，800VHVDC高壓直流架構(gòu)是下一代 AI數(shù)據(jù)中心的必然選擇，SiC功率器件需求有望隨800VHVDC方案推進(jìn)而擴(kuò)大。同時(shí)，SiC在超高功率密度的封裝場(chǎng)景及智能眼鏡（886085）光學(xué)系統(tǒng)升級(jí)方面也具備優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用有望拓展。
國(guó)投證券主要觀點(diǎn)如下：
AIDC供電走向800VHVDC技術(shù)架構(gòu)，SiC功率器件迎來(lái)新增量
AI機(jī)柜功率密度持續(xù)飆升，傳統(tǒng)低壓供電已達(dá)物理極限，800VHVDC高壓直流架構(gòu)是下一代AI數(shù)據(jù)中心的必然選擇。英偉達(dá)（NVDA）2025年5月官方宣布，數(shù)據(jù)中心正從當(dāng)前的54V機(jī)架供電向800VHVDC高壓直流架構(gòu)過(guò)渡，目標(biāo)是2027年實(shí)現(xiàn)該架構(gòu)的規(guī)?；逃?，以支撐1MW及以上超高功率密度IT機(jī)架的電力需求。隨著AI服務(wù)器功耗上行與機(jī)柜功率密度提升，對(duì)開(kāi)關(guān)器件的耐壓、效率與熱管理提出更高要求，SiC功率器件在高壓高頻場(chǎng)景下具備更強(qiáng)適配性，需求有望隨800VHVDC方案推進(jìn)而擴(kuò)大。
SiC的高導(dǎo)熱特性，在超高功率密度的封裝場(chǎng)景中具備優(yōu)勢(shì)
CoWoS等先進(jìn)封裝（886009）已成為GPU+HBM高帶寬互連的重要路徑，但更高TDP與更大互連跨度使熱點(diǎn)溫升、CTE失配與可靠性問(wèn)題凸顯。SiC的“高熱導(dǎo)率+高剛性+高耐溫”特性，在超高功率密度的封裝場(chǎng)景中有顯著優(yōu)勢(shì)。在COWOS中介層應(yīng)用中，SiC熱導(dǎo)率顯著高于硅，且具有高硬度與低熱膨脹系數(shù)，有助于降低熱點(diǎn)溫度、抑制翹曲。作為散熱基座時(shí)，SiC可縮短熱擴(kuò)散路徑，提升整體散熱與機(jī)械穩(wěn)定性。在功率器件協(xié)同路徑中，SiC器件的高耐壓、高效率與高溫可靠性可用于近封裝電源管理場(chǎng)景，以提升供電效率。隨著AI芯片功率密度越來(lái)越高，SiC從散熱基座到中介層的應(yīng)用有望在高端芯片封裝領(lǐng)域中開(kāi)始滲透。
SiC+光波導(dǎo)有望成為下一代智能眼鏡光學(xué)系統(tǒng)主流方案
終端形態(tài)向“眼鏡化”演進(jìn)，光學(xué)系統(tǒng)對(duì)折射率、厚度、雜散光控制與環(huán)境穩(wěn)定性要求顯著提升；顯示側(cè)對(duì)高亮度與散熱提出更嚴(yán)苛的要求。傳統(tǒng)玻璃與樹(shù)脂基材已逼近物理性能極限，難以滿(mǎn)足下一代智能眼鏡（886085）的核心體驗(yàn)要求。相比之下，碳化硅（SiC）憑借其超高折射率、高熱導(dǎo)率與高硬度的獨(dú)特材料特性，在衍射光波導(dǎo)技術(shù)路線上實(shí)現(xiàn)了代際突破，有望成為AI智能眼鏡（886085）光學(xué)系統(tǒng)升級(jí)的主流方向。Meta（META）在其Orion（OEC） AI眼鏡（886085）旗艦原型機(jī)中，正式采用碳化硅基光波導(dǎo)架構(gòu)。
投資建議：建議關(guān)注天岳先進(jìn)（HK2631）、藍(lán)特光學(xué)（688127）、芯聯(lián)集成（688469）、中瓷電子（003031）、龍旗科技（HK9611）、晶盛機(jī)電（300316）、晶升股份（688478）等
風(fēng)險(xiǎn)提示：AI落地進(jìn)展不及預(yù)期；產(chǎn)品研發(fā)不及預(yù)期；市場(chǎng)開(kāi)拓不及預(yù)期。
