4月24日，由第三代半導(dǎo)體（885908）產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟編寫(xiě)的《第三代半導(dǎo)體（885908）產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告(2025)》(簡(jiǎn)稱(chēng)《報(bào)告》)在2026九峰山論壇開(kāi)幕式上發(fā)布。
“AI浪潮推動(dòng)全球半導(dǎo)體（881121）產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體（881121）為代表的化合物半導(dǎo)體（881121）成為半導(dǎo)體（881121）領(lǐng)域高端產(chǎn)業(yè)鏈話語(yǔ)權(quán)爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)?！?span>第三代半導(dǎo)體（885908）技術(shù)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲接受證券時(shí)報(bào)記者采訪時(shí)表示，我國(guó)在光電子、射頻電子和功率電子領(lǐng)域建立了較為完整的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)體系，正處于從“技術(shù)突破”向“產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先”加速邁進(jìn)的關(guān)鍵階段。
從技術(shù)追趕到局部領(lǐng)先
《報(bào)告》指出，2025年全球半導(dǎo)體（881121）產(chǎn)業(yè)勢(shì)頭強(qiáng)勁，疊加新能源汽車(chē)（885431）、光伏儲(chǔ)能（885921）等下游領(lǐng)域需求放量，我國(guó)第三代半導(dǎo)體（885908）產(chǎn)業(yè)持續(xù)高速增長(zhǎng)。第三代半導(dǎo)體（885908）功率電子領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模約227億元，同比增長(zhǎng)28.6%，其中新能源汽車(chē)（885431）及交通市場(chǎng)突破148億元，消費(fèi)電子（881124）市場(chǎng)接近32億元，電信及基礎(chǔ)設(shè)施成為增速最快領(lǐng)域。GaN射頻器件市場(chǎng)119億元，同比增長(zhǎng)9.2%；光電方面，車(chē)用LED（884095）領(lǐng)域保持增長(zhǎng)，GaN基激光器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)70億元。
“從供給端來(lái)看，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體（885908）功率電子、射頻電子、LED（884095）產(chǎn)值分別為231億元、47億元、1037億元?！薄秷?bào)告》顯示，國(guó)內(nèi)碳化硅(SiC)襯底、外延及晶圓(折合6英寸)產(chǎn)能分別為420萬(wàn)片、230萬(wàn)片、190萬(wàn)片，產(chǎn)量分別為205萬(wàn)片、93萬(wàn)片、85萬(wàn)片，產(chǎn)能利用率較上年有所提升。GaN功率電子的外延及晶圓(折合6英寸)產(chǎn)能分別為96萬(wàn)片和74萬(wàn)片，產(chǎn)量分別為63萬(wàn)片和43萬(wàn)片，較上年實(shí)現(xiàn)較大增長(zhǎng)。射頻電子外延及晶圓(折合6英寸)產(chǎn)能分別為17萬(wàn)片和15萬(wàn)片，國(guó)產(chǎn)化率進(jìn)一步提升。
產(chǎn)業(yè)格局上，我國(guó)企業(yè)全球市占率顯著提升。根據(jù)《報(bào)告》提供的數(shù)據(jù)，天岳先進(jìn)（HK2631）、天科合達(dá)（603660）等躋身SiC襯底全球前三，瀚天天成（HK2726）、天域半導(dǎo)體（HK2658）等進(jìn)入SiC外延全球前二，SiC材料整體供給占全球一半，英諾賽科（HK2577）GaN功率器件全球市占率繼續(xù)保持第一。
技術(shù)方面，SiC8英寸襯底實(shí)現(xiàn)規(guī)?；┴洠?2英寸外延全球首發(fā)，GaN相關(guān)技術(shù)取得突破；超寬禁帶半導(dǎo)體（881121）多項(xiàng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)國(guó)際首發(fā)。
展望2026年，《報(bào)告》預(yù)計(jì)，經(jīng)歷了行業(yè)的規(guī)?；隽?，第三代半導(dǎo)體（885908）功率及射頻電子產(chǎn)值增速有望達(dá)到15%以上。
“對(duì)能源（850101）效率、信息速度和極端環(huán)境適應(yīng)能力的需求，是新材料、新器件技術(shù)不斷創(chuàng)新發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。”吳玲認(rèn)為，我國(guó)已實(shí)現(xiàn)從技術(shù)追趕到局部領(lǐng)先的躍升，未來(lái)5到10年有望實(shí)現(xiàn)全球引領(lǐng)，形成半導(dǎo)體（881121）領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)板，搶占國(guó)際科技與產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略主動(dòng)權(quán)。
進(jìn)入生態(tài)重構(gòu)深水區(qū)
不過(guò)，多位與會(huì)專(zhuān)家同時(shí)提醒，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體（885908）產(chǎn)業(yè)在高端襯底、核心設(shè)備等關(guān)鍵環(huán)節(jié)仍然存在短板，從研發(fā)、中試到規(guī)?；慨a(chǎn)的銜接不夠順暢，產(chǎn)業(yè)整體處在由技術(shù)突破向建立全面領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。
吳玲指出，當(dāng)前產(chǎn)業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)是性?xún)r(jià)比提高和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。
“材料和器件的長(zhǎng)期可靠性是決定其能否被采納的生命線”。吳玲認(rèn)為，當(dāng)前第三代半導(dǎo)體（885908）面臨材料與器件固有缺陷、電磁干擾等新挑戰(zhàn)，不僅封裝和驅(qū)動(dòng)生態(tài)的成熟度不及傳統(tǒng)硅器件，評(píng)價(jià)方法與標(biāo)準(zhǔn)體系也尚不完善。
此外，業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，成本是決定能否大規(guī)模普及的關(guān)鍵所在。吳玲表示，襯底與外延成本依然高企，而產(chǎn)能擴(kuò)張引發(fā)的供需失衡，正加速行業(yè)洗牌。
當(dāng)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)入生態(tài)重構(gòu)的深水區(qū)，發(fā)展路徑該如何選擇？吳玲表示，競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)正從單一產(chǎn)品性能轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級(jí)解決方案，這促使終端應(yīng)用企業(yè)開(kāi)始深度參與前端技術(shù)研發(fā)，產(chǎn)學(xué)研合作因此更加緊密，進(jìn)而要求創(chuàng)新資源配置必須更為高效。
“許多前沿探索已初具轉(zhuǎn)化潛力，但科研團(tuán)隊(duì)往往缺少感知市場(chǎng)脈動(dòng)的觸角。”中國(guó)科學(xué)院院士、武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院執(zhí)行院長(zhǎng)劉勝建議，要推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研用從物理集聚走向化學(xué)融合，不僅要加快公共平臺(tái)的建設(shè)，還需要耐心資本護(hù)航，完善從概念驗(yàn)證到規(guī)?；慨a(chǎn)的全周期（883436）支持。
打造半導(dǎo)體化合物高地
值得注意的是，自2023年創(chuàng)辦以來(lái)，九峰山論壇已成為國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體（881121）領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最高、影響力最強(qiáng)的行業(yè)盛會(huì)。九峰山論壇舉行地武漢，正搶抓第三代半導(dǎo)體（885908）發(fā)展風(fēng)口，聚力打造半導(dǎo)體（881121）化合物高地與優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)集群。
目前，以武漢東湖高新（600133）區(qū)為核心，武漢布局了包括九峰山實(shí)驗(yàn)室、光谷實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心等在內(nèi)的創(chuàng)新平臺(tái)，集聚了創(chuàng)飛、先進(jìn)、先導(dǎo)新材等一批核心企業(yè)。作為工信部首批國(guó)家級(jí)制造業(yè)中試平臺(tái)中集成電路領(lǐng)域唯一入選平臺(tái)，九峰山實(shí)驗(yàn)室?guī)?dòng)落地企業(yè)70余家，推動(dòng)武漢市化合物半導(dǎo)體（881121）企業(yè)規(guī)模突破400億元。
武漢東湖高新（600133）區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人向記者透露，該區(qū)正以九峰山實(shí)驗(yàn)室為核心，打造面積14平方公里的化合物半導(dǎo)體（881121）街區(qū)。創(chuàng)新街區(qū)內(nèi)16.8萬(wàn)平方米的化合物半導(dǎo)體（881121）孵化加速及制造基地項(xiàng)目即將于今年建成投用。在這里，初創(chuàng)企業(yè)可“拎包入駐”，帶著設(shè)計(jì)圖就能造出芯片樣品。同時(shí)，光谷設(shè)立了890億元政府投資基金群，加快集聚產(chǎn)業(yè)上下游生態(tài)，打造全球化合物半導(dǎo)體（881121）產(chǎn)業(yè)投資首選地。
