廣發(fā)證券（000776）發(fā)布研報(bào)稱，玻璃基板以及其相關(guān)的TGV(玻璃通孔)工藝已經(jīng)成為了先進(jìn)封裝（886009）的重要發(fā)展方向。玻璃基板可實(shí)現(xiàn)板級光互連與3D集成，兩項(xiàng)技術(shù)通過協(xié)同設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)CPO系統(tǒng)級集成。TGV玻璃通孔工藝是玻璃基板加工的重要工藝，涉及激光鉆孔、金屬填充、高密度布線等環(huán)節(jié)。(1)該行建議關(guān)注高深寬比玻璃微孔加工帶來的激光設(shè)備（884220）需求;(2)其他工藝環(huán)節(jié)。
廣發(fā)證券（000776）主要觀點(diǎn)如下：
玻璃基板優(yōu)勢顯著，有望成為下一代封裝材料
相比傳統(tǒng)的硅及有機(jī)物材料，玻璃具有低熱膨脹系數(shù)、高機(jī)械強(qiáng)度、優(yōu)異電氣隔離性能與低高頻信號損耗等優(yōu)勢。根據(jù)成都邁科公眾號，玻璃基板的材料熱膨脹系數(shù)與硅芯片高度匹配，可減少70%的高溫翹曲問題;同時其表面粗糙度很低，互連密度能達(dá)傳統(tǒng)基板的10倍左右。玻璃基板以及其相關(guān)的TGV(玻璃通孔)工藝已經(jīng)成為了先進(jìn)封裝（886009）的重要發(fā)展方向。
臺積電積極推進(jìn)CoPoS封裝技術(shù)，中試線預(yù)估6月完成搭建
目前臺積電（TSM）的主要封裝工藝為CoWoS，即采用硅中介層作為互聯(lián)材料，而CoPoS(Chip-on-Panel-on-Substrate)是臺積電（TSM）推出的新一代先進(jìn)封裝（886009）技術(shù)，核心是采用矩形玻璃基板替代硅作為中介層，一方面玻璃基板電學(xué)性能好、翹曲低、可以實(shí)現(xiàn)更大的封裝面積，帶來更加高效穩(wěn)定的連接;另一方面玻璃材料成本低，且通過使用大型矩形面板替代傳統(tǒng)的圓形硅晶圓片，可以大幅提升晶圓材料利用率與生產(chǎn)效率，降低成本。根據(jù)成都邁科官方公眾號援引Commercial Times報(bào)道，臺積電（TSM）CoPoS中試生產(chǎn)線已于2月啟動設(shè)備交付，整條產(chǎn)線預(yù)計(jì)6月全面建成，預(yù)期量產(chǎn)將在2028年至2029年間逐步展開。
CPO領(lǐng)域玻璃基板的應(yīng)用潛力同樣較大
玻璃基板可實(shí)現(xiàn)板級光互連與3D集成，兩項(xiàng)技術(shù)通過協(xié)同設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)CPO系統(tǒng)級集成。根據(jù)2025年IEEE第75屆電子元件（881270）與技術(shù)會議上康寧（GLW）研究團(tuán)隊(duì)成果匯報(bào)，一方面，采用熱離子交換(IOX)工藝，Corning NY與Fraunhofer IZM的研究團(tuán)隊(duì)首次制備了面板級扇出型玻璃波導(dǎo)電路，可以替代光纖實(shí)現(xiàn)計(jì)算單元與CPO模塊的高效互連;另一方面，借助TGV工藝(玻璃通孔)，玻璃基板可將光芯片與電芯片進(jìn)行3D封裝，已實(shí)現(xiàn)光-電協(xié)同封裝的高密度集成，未來通過進(jìn)一步優(yōu)化(如波導(dǎo)損耗降至<0.04 dB/cm、提升TGV深寬比)，玻璃基板有望成為102.4 Tbps及更高帶寬CPO應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)路徑之一。
風(fēng)險提示
玻璃基板工藝推進(jìn)不及預(yù)期，半導(dǎo)體（881121）行業(yè)波動的風(fēng)險，先進(jìn)封裝（886009）市場增長不及預(yù)期的風(fēng)險。
